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铜铬

CuCr50触头:  T应用于真空灭弧室。该触头多次经德国西门子公司检测,所有性能均达到该公司的技术要求,平均截流值2~2.5A,最大截流值3.2A。在国内通过了12kV/12.5kA、20kA、31.5kA、40kA、50kA、100kA;40.5kV/20kA、25kA、31.5kA真空断路器的型式试验。在行业中具有很高的信誉,是各大真空灭弧室生产厂的首选产品。
电弧法CuCr45触头:  应用于真空灭弧室。该触头具有Cr颗粒在Cu基体中细小弥散分布的组织特征,各项性能与德国西门子公司生产的电弧法CuCr45触头的性能相当,具有优异的综合电性能。在国内已通过了380~1140V/80kA低压真空断路器的型式试验。
电弧法CuCr40触头:  应用于真空灭弧室。该触头具有Cr颗粒在Cu基体中 细小弥散分布的组织特征,具有优异的综合电性能。在国内小型化真空灭弧室中已通过了40.5kV/31.5kA真空断路器的型式试验。
电弧法CuCr25触头: 应用于真空灭弧室。该触头具有Cr颗粒在Cu基体中细小弥散分布的组织特征,具有优异的综合电性能。在国内小型化真空灭弧室中已通过了12kV/16kA、25kA、31.5kA、40kA真空断路器的型式试验。
烧结法CuCr25触头:  应用于国内外12~40.5kV等级的真空灭弧室。

 

 

力学物理性能 Mechanical&Physical Properties:

材料表示符号
Contact
Materials

制造工艺
Process

氧含量
O2content
(ppm)

氮含量
N2content
(ppm)

密度
Density
(g/cm)

硬度
Hardness
HB

电导率
Conductivity
(MS/m)

CuCr(25)-SS

固相烧结
Solid sintering

500

30

8.30

70

29

CuCr(30)-SS

500

40

8.20

75

24

CuCr(40)-MI

熔渗
Infiltration

500

40

8.00

80

20

CuCr(50)-MI

500

40

7.95

80

18

CuCr(40)-AM

电弧熔炼
Arc melting

500

40

8.05

100

23

CuCr(45)-AM

500

40

8.00

100

20

CuCr(50)-AM

500

40

7.90

100

16


金相图片:

VAM-CuCr25 


Sintered-CuCr25


VAM-CuCr40


VAM-CuCr45  


Infiltrated-CuCr50

 

 
 
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